導語：如何才能寫好一篇集成電路及半導體，這就需要搜集整理更多的資料和文獻，歡迎閱讀由公務員之家整理的十篇范文，供你借鑒。

篇1

大家上午好。首先我代表中國半導體行業(yè)協(xié)會對各位領導、國內(nèi)外嘉賓、各位同仁參加在西安舉辦的“2011中國半導體行業(yè)協(xié)會集成電路設計分會年會暨中國集成電路設計產(chǎn)業(yè)十年成就展”，表示熱烈的歡迎；對陜西省、西安市有關部門，陜西省半導體行業(yè)協(xié)會等有關單位給于會議的支持，對業(yè)界積極參與會議的各項活動表示誠摯的感謝。對新一屆理事會的產(chǎn)生與新一屆理事會的工作表示熱烈的祝賀和一如既往的支持。

集成電路設計業(yè)是集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的引擎，在此盛會開幕之時，希望設計業(yè)同仁持之以恒地做好以下兩件工作：

一、不斷努力，發(fā)揮好產(chǎn)業(yè)的引領與推動作用

2000―2010年十年間，我國集成電路產(chǎn)量從59億塊提高到653億塊，提高了11倍，年均增速27.2％。銷售收入從186億元提高到1440億元，翻了三番，年均增速22.7％。其中集成電路設計業(yè)年均增速43.5％。芯片制造業(yè)年均增速25％，封裝測試業(yè)，年均增速17.2％。這是否說明，推動中國集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，一定要維持設計業(yè)的高位增長，或者說，只有設計業(yè)的快速增長，才能維持整個產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，在目前中國的集成電路產(chǎn)業(yè)生態(tài)環(huán)境下，這是否有什么規(guī)律性?非常值得研究。

長三角地區(qū)，三家代工企業(yè)近三年以來，國內(nèi)的加工收入逐年增長的情況，也是一個非常好的例證。一家企業(yè)國內(nèi)加工量從2009年22％；增長到2010年的29％，再到2011年1-9月份的32％；一家企業(yè)從40％增長到46％，再增長到57％；另一家從2009年的15.4％，增長到2011年1-9月份的22％。封裝企業(yè)情況也是如此，一家封裝企業(yè)從2009年的50％左右增長到2011年70％(預期值)以上；另一家從2009年的30％，增長到2010年40％，預計2011年將達到50％。

在產(chǎn)業(yè)發(fā)展過程中，類似的例子還可以舉出很多。目的就是要說明設計業(yè)的龍頭與牽引的作用，希望大家“十二五”期間以及今后一個較長的發(fā)展時期，繼續(xù)努力。

二、加強創(chuàng)新與整合，做大做強企業(yè)

未來集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，將繼續(xù)朝向人才集中，資金集中、技術(shù)密集三大趨勢前進。

據(jù)有關資料，現(xiàn)在僅設計一顆簡單的Ic可能就需要幾百人的通力合作，復雜一點的Ic甚至需要動用幾千人才能完成；現(xiàn)在興建一座月產(chǎn)能三萬片的十二寸廠，約需要50億美元；技術(shù)密集方面，未來集成電路的發(fā)展除了繼續(xù)邁向摩爾定律的先進制程發(fā)展，亦可投入超越摩爾定律的研發(fā)領域，持續(xù)開發(fā)各式多樣化的集成電路應用。

目前我們設計業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀，僅舉幾組數(shù)據(jù)，看看我們的差距：

2010年，工信部認定與年審通過的332家企業(yè)中，總?cè)藬?shù)在500人以上的14家，1000人以上只有5家。2010年銷售額全球排名第一的為70.98億美元，我們第一的為44.2億人民幣；全球第十名為12億美元，我們第10名只有6.2億元人民幣。根據(jù)“中國集成電路產(chǎn)業(yè)知識產(chǎn)權(quán)年度報告(2011版)”，截至到2010年12月31日，國內(nèi)幾種主要集成電路產(chǎn)品的專利擁有數(shù)量，只有專用Ic類，國內(nèi)企業(yè)及大學的專利擁有情況較好，而在處理器、存儲器、通訊等幾類專利擁有者大多數(shù)是外資企業(yè)。

下面所引用的數(shù)據(jù)，是來說明日本高科技公司與全球領先的高科技公司1999年-2009年平均年-收入的增長情況的：日本7家高科技公司，綜合數(shù)據(jù)的結(jié)果，市場份額收益2.9％，產(chǎn)品增長4.2％，并購0.7％，總增長2％；全球領先的7家高科技公司，市場份額收益4.7％，產(chǎn)品增長8％，并購4.3％，總增長17％。在年收入中，產(chǎn)品與并購占有很大的比重。通-過產(chǎn)品創(chuàng)新與并購，做大做強企業(yè)，是國外大企業(yè)成功之路。值得我們集成電路設計業(yè)，以及整個的半導體產(chǎn)業(yè)借鑒與學習。

中國未來集成電路的市場空間巨大，戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)規(guī)劃的啟動與“十二五”規(guī)劃的實施，為我國集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展提供新的發(fā)展機遇，智能手機、平板電腦、智能電網(wǎng)、物聯(lián)網(wǎng)、云計算、新能源汽車等21世紀新興應用的興起，急待我們開發(fā)大量的系統(tǒng)級集成電路產(chǎn)品。但同時我們又面臨一系列挑戰(zhàn)：在全球經(jīng)濟一體化的產(chǎn)業(yè)大環(huán)境下，我們的技術(shù)水平和企業(yè)規(guī)模與跨國公司相比，還有很大差距；我們占有的資源和資源整合能力，還有很大差距；我們的產(chǎn)業(yè)在產(chǎn)品定位，應用上取得領先方面，還有很大差距；唯有創(chuàng)新與加大整合，才是推動我們設計業(yè)的發(fā)展的關鍵。

篇2

    關鍵詞：知識產(chǎn)權(quán) 集成電路 布圖設計權(quán)

    中國政府為了滿足Trips協(xié)議的要求，于2001年頒布了《集成電路布圖設計保護條例》，該條例已于同年開始實施[2].從該條例的文字規(guī)定看，中國的集成電路布圖設計的保護水平已經(jīng)完全滿足了Trips協(xié)議的要求。

    事實上，中國政府早在1991年就開始起草《集成電路布圖設計保護條例》。這一動議肇始于《集成電路知識產(chǎn)權(quán)條約》（以下簡稱《集成電路條約》）的制訂。早在1986年，就召開了多次外交會議和專家會議，研究、起草《集成電路條約》，中國政府積極參與了該條約起草的全過程。1990年5月，在華盛頓召開外交會議，通過了集成電路條約，包括中國在內(nèi)的多數(shù)國家投票贊成。此后，中國政府立即組織專門小組開始研究和起草《集成電路布圖設計保護條例》。在起草工作初期，的《集成電路條約》是中國立法的主要參考文件。1993年，在GATT烏拉圭回合談判中，Trips協(xié)議草案的鄧克爾文本提出后，考慮到中國當時正試圖恢復其GATT締約國的地位，Trips協(xié)議成為中國起草《集成電路布圖設計保護條例》所參考的最為重要的文獻

    由于WIPO的《集成電路條約》一直未能生效；加之中國加入WTO的進程又是一波三折，中國的《集成電路布圖設計保護條例》一直沒有一個適當?shù)某雠_時機。直到2001 年，中國在加入WTO方面出現(xiàn)了轉(zhuǎn)機，為配合國內(nèi)外各方面的工作，中國政府頒布了《集成電路布圖設計保護條例》。就在這一年，中國加入了WTO.

    本文擬就中國《集成電路布圖設計保護條例》的規(guī)定，同Trips協(xié)議和WIPO的《集成電路條約》以及有關國家的法律，分別從權(quán)利的保護對象、范圍、內(nèi)容和效力等方面，從知識產(chǎn)權(quán)法律理論的角度進行分析、評論和比較。

    一、保護對象

    中國的《集成電路布圖設計保護條例》開宗明義在標題上直接采用布圖設計作為中心詞，這就將其保護范圍限定于半導體集成電路，因為只有半導體集成電路在制造過程中對布圖設計有著必然的依賴。該條例第二條在界定集成電路概念時專門指明，條例中所稱集成電路為半導體集成電路。[3]

    將保護范圍限定在半導體集成電路范圍是國際上的通例。美國是世界上第一個頒布集成電路保護法律的國家，從美國1978年首次提出集成電路保護的問題，到1984 年頒布專門立法的過程可以看出，布圖設計（美國法稱掩模作品）一直被作為這類法律保護的直接對象[4].應當說，這一法律的最基本的目的就是為了防止未經(jīng)許可隨意復制他人的布圖設計。此后，日本、瑞典等國的保護集成電路的國內(nèi)法均采用了這種“美國模式”。

    1986年在美、日等國的提議下，WIPO開始制訂保護集成電路的條約。盡管該條約在總體設計上采用了前述美國模式，但在其起草過程中，也曾經(jīng)就是否明確將保護對象限定在半導體集成電路之內(nèi)發(fā)生過爭論。在1988年11月的草案中，對于是否在集成電路之前加上“半導體”這一文字限定，依舊是兩種方案。

    事實上，通過保護布圖設計的手段來達到保護集成電路目的的美國模式本身，已經(jīng)將保護對象限定在半導體集成電路的范圍之內(nèi)了。因為在目前的技術(shù)發(fā)展水平上，布圖設計本身就是針對半導體集成電路的，每一種半導體集成電路都必然與一套特定的布圖設計相對應。而半導體集成電路之外的混合集成電路（Hybrid IC），如薄膜或者厚膜集成電路均不直接涉及布圖設計的問題。美國人甚至在其國內(nèi)法的標題上或正文中就直接采用了半導體芯片或者半導體產(chǎn)品的提法。[5]

    中國的集成電路保護條例從起草到頒布的整個過程，都一直使用半導體集成電路的提法。這種做法不僅同國際社會保持一致，而且也符合知識產(chǎn)權(quán)制度本身的功能分配。對于半導體集成電路之外的其他集成電路，如前述混合集成電路中并不存在像布圖設計這樣復雜的設計，充其量也就存在一些如同印刷電路、相對簡單的金屬化互聯(lián)引線。嚴格說來，混合電路只是一種由若干分立器件（Devices）或半導體集成電路組合而成的功能性組件，完全不同于半導體集成電路將全部器件集成于單片的硅或化合物半導體材料之中。因此，對于半導體集成電路之外的其他相關產(chǎn)品完全可以適用專利法加以保護。不致出現(xiàn)如半導體集成電路所面臨的與專利法之間的不和諧[6].

    盡管世界各國在其立法模式上普遍采用了保護布圖設計的美國模式，但對布圖設計的稱謂卻各不相同。世界上最早立法保護集成電路的三個國家中就分別采用了三種不同的叫法：美國人稱其為掩模作品（Mask work）；日本人則使用了線路布局（Circuit Layout）的提法；瑞典人使用的是布圖設計（Layout Design）。但這并不算結(jié)束，隨后跟進的歐共體指令[7]卻又使用了形貌結(jié)構(gòu)（Topography，也有譯作拓樸圖或者構(gòu)型的）。在這多個術(shù)語中，中國與WIPO的《集成電路條約》保持一致，采用了布圖設計的稱謂。

    美國法所使用的“掩模作品”，雖然在產(chǎn)業(yè)界十分流行，但在技術(shù)層面上顯然已經(jīng)落后。如今，相對先進的制造商已經(jīng)完全可以不再使用傳統(tǒng)的掩模板來制造集成電路。所有掩模圖形均可以存儲于計算機中，通過控制電子束掃描進行表面曝光，或者通過低能加速器進行離子注入等技術(shù)均可將掩模圖形集成于半導體材料之中。而日本人所使用的線路布局一詞則很容易同印刷電路 （Printed Circuit）混淆，在產(chǎn)業(yè)界也少有人這樣稱呼布圖設計。相比之下，布圖設計和形貌結(jié)構(gòu)則是較為通行的用法，其中形貌結(jié)構(gòu)（Topography）原本為地理學中術(shù)語，指起伏不平的地貌，后微電子產(chǎn)業(yè)借用了這一術(shù)語，用以指代布圖設計。但在漢語環(huán)境中，布圖設計的用法更為普遍，故中國的相關規(guī)定采用了布圖設計一詞[8].

    從上面分析可知，中國的國內(nèi)法在保護對象方面采取了與國際上相關國際條約或者有關國家的國內(nèi)法完全相同的模式，即通過直接賦予布圖設計以專有權(quán)的方式，來實現(xiàn)保護采用該布圖設計的集成電路的目的。

    二、權(quán)利內(nèi)容的設定

    各國在集成電路保護問題上都采用了設權(quán)方式，即在傳統(tǒng)的知識產(chǎn)權(quán)體系中新設立一種既不同于專利權(quán)，也不同于著作權(quán)等傳統(tǒng)知識產(chǎn)權(quán)形式的新型權(quán)利—布圖設計權(quán) [9].就中國而言，考慮到中國立法的直接目的，自然不可能另外閉門自造一套與眾不同的制度。根據(jù)中國《集成電路布圖設計保護條例》，布圖設計權(quán)人享有 （l）對受保護的布圖設計的全部或者其中任何具有獨創(chuàng)性的部分進行復制的專有權(quán)，和（2）將受保護的布圖設計、含有該布圖設計的集成電路或者含有該集成電路的物品投入商業(yè)利用的專有權(quán)。[10]這一規(guī)定同wTO的Trips協(xié)議相比，僅僅在文字表述方式上存在差異，其權(quán)利內(nèi)容是完全相同的。[11]

    從前述規(guī)定中可以發(fā)現(xiàn)，所謂布圖設計權(quán)在內(nèi)容上包含兩個方面，即復制權(quán)和商業(yè)實施權(quán)。而這兩項內(nèi)容在原有的知識產(chǎn)權(quán)種類中，分別屬于著作權(quán)和專利權(quán)中的權(quán)能。布圖設計權(quán)則兼采二者內(nèi)容于一身，這反映出集成電路保護法在原有的知識產(chǎn)權(quán)體系中介于專利權(quán)和著作權(quán)之間的特殊地位，這一特性同樣在布圖設計受保護的條件上得到突出反映。受著作權(quán)法保護的作品必須具備獨創(chuàng)性，被授予專利權(quán)的發(fā)明則必須具備創(chuàng)造性，即只有相對比現(xiàn)有技術(shù)水平有較大提高的發(fā)明才能獲得專利權(quán)，這是各國專利法的通行做法。而從目前國際社會對于獨創(chuàng)性的解釋可知，作品只需具備最低限度的創(chuàng)造性即被認為具備了獨創(chuàng)性。由此可以推知，專利法中的創(chuàng)造性在創(chuàng)造高度方面的要求顯然高于著作權(quán)法中的獨創(chuàng)性。而各國的集成電路保護法及相關國際條約在保護條件方面的規(guī)定，一方面借用了著作權(quán)法中關于獨創(chuàng)性（originality）的概念，另一方面又要求受保護的布圖設計不能是平庸或者司空見慣的。[12]可見在法律上對受保護布圖設計在創(chuàng)造性方面所提出的要求正好介于著作權(quán)法和專利法之間。

    布圖設計權(quán)之所以在內(nèi)容上兼采著作權(quán)和專利權(quán)中的內(nèi)容，根本原因還是布圖設計本身同時具有著作權(quán)法和專利法保護對象的雙重屬性。布圖設計在外在形式上，表現(xiàn)為一系列的圖形。如歐共體集成電路保護指令中就直接將布圖設計定義為一系列的圖形，[13]當這些平面圖形按照一定的規(guī)則被固化在硅片表面下不同深度中后，便可形成三維的立體結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)特定的電子功能，也就是說這種外在表現(xiàn)為圖形的布圖設計有其內(nèi)在的實用功能，其最終的價值是通過特定的電子功能得以實現(xiàn)的，正是因為布圖設計的這種屬性導致了布圖設計權(quán)在內(nèi)容上的設計也具備了類似著作權(quán)和專利權(quán)的屬性。

    三、權(quán)利效力和限制

    在各類知識產(chǎn)權(quán)中，受法律保護的條件存在高下之分。這必然導致權(quán)利效力也存在強弱不同。著作權(quán)的效力僅限于作品的表達（expression），而專利權(quán)所能延及的層面則比著作權(quán)法中的表達更為抽象。專利權(quán)的效力不僅延及于某一技術(shù)方案的某種具體實現(xiàn)方式，而且可以延及該技術(shù)方案本身。從前述布圖設計權(quán)的內(nèi)容的介紹中可以看出，中國法規(guī)中所規(guī)定的布圖設計權(quán)，在效力上同專利權(quán)的設計并無差異。然而，回顧WIPO起草《集成電路條約》的過程可知，參與起草的各國曾就布圖設計權(quán)的效力發(fā)生過極大的爭議，發(fā)展中國家希望將布圖設計權(quán)的效力限定在復制布圖設計和利用布圖設計制造集成電路這兩個層面上；而以美、日為代表的集成電路技術(shù)強國則并不滿足這兩個層面，還打算將布圖設計權(quán)的效力延伸至安裝有受保護的布圖設計集成電路的物品上。美、日兩國的主張即是將布圖設計權(quán)的效力延伸到第三個層次上，這在效力上就完全等同于專利權(quán)。由于發(fā)展中國家的強烈反對，致使WIPO的條約在布圖設計權(quán)的效力上采取了模棱兩可的做法，即在該條約的第3條（1）（h） 和第6條（1）（a）（ii）中分別采用了不同的表述方式。

    然而，在1994年WTO的Trips協(xié)議通過之后，由于Trips 協(xié)議就布圖設計權(quán)的效力作了專門規(guī)定，[14]致使WIPO條約中遺留的問題在Trips協(xié)議中不復存在，Trips協(xié)議完全采取了美、日等國的立場，將權(quán)利效力延伸到了第三層次。中國為了能加入WTO，自然只能采用跟進的態(tài)度，在中國的《集成電路布圖設計保護條例》第7條中，有關布圖設計權(quán)的效力與 Trips協(xié)議在實質(zhì)上完全一致。

    應該說，在Trips協(xié)議通過之后布圖設計權(quán)的效力問題在立法上已經(jīng)解決，但是Trips協(xié)議的這種做法在知識產(chǎn)權(quán)法律理論上是存在問題的，知識產(chǎn)權(quán)的效力從來都同該權(quán)利產(chǎn)生的條件高低相關。通常，權(quán)利產(chǎn)生的條件越苛刻，權(quán)利效力也就越強，這在前述著作權(quán)和專利權(quán)的效力差異上已經(jīng)表現(xiàn)得尤為明顯，不僅如此，對于同類知識產(chǎn)權(quán)也是這樣，比如商標必須具備顯著性才能受到法律保護，因此顯著性即為商標權(quán)產(chǎn)生的條件。如果一個商標的顯著性強，則依附于該商標上的商標權(quán)的效力也相應較強，而布圖設計權(quán)在創(chuàng)造性要求方面顯然低于專利法的要求，因此其權(quán)利效力理所當然地應當?shù)陀趯＠ǎ粦斉c專利權(quán)相同，即不應當延伸到第三層次上。當然，布圖設計權(quán)的創(chuàng)造性要求比起著作權(quán)又遠高于獨創(chuàng)性要求，因此布圖設計權(quán)的效力應當強于著作權(quán)。具體地講，著作權(quán)效力只能及于對作品的復制；而布圖設計權(quán)的效力則不僅可及于對布圖設計的復制，還可以延伸到對布圖設計本身的商業(yè)利用，即第二層次。所以，當年發(fā)展中國家在WIPO《集成電路條約》談判中的主張在理論上應當是成立的。中國雖然一直都不贊同美、日等國的主張，但為了同 WTO的相關規(guī)定保持一致，只得將布圖設計權(quán)的效力強化到用集成電路組裝的物品的商業(yè)利用，即第三層次。

    無論是著作權(quán)，還是專利權(quán)在法律上都受到一定的限制，布圖設計權(quán)也不例外。中國的相關法律對于布圖設計權(quán)的限制同國際上其他國家的規(guī)定并無大異。為個人目的或者單純?yōu)樵u價、分析、研究、教學等目的而復制受保護的布圖設計，比如為前述目的實施反向工程的行為；或者在前述反向工程的基礎上，創(chuàng)作出具有獨創(chuàng)性的布圖設計的行為；以及對自己獨立創(chuàng)作的與他人相同的布圖設計進行復制或者將其投入商業(yè)利用的行為等均不屬于侵犯布圖設計權(quán)的行為等。[15]這類行為等同于著作權(quán)法中合理使用行為。此外，中國《集成電路布圖設計保護條例》還就權(quán)利用盡等知識產(chǎn)權(quán)法中通行的權(quán)利限制類型作出了規(guī)定。[16]

    在中國《集成電路布圖設計保護條例》中還明確規(guī)定了非自愿許可的相關條件和性質(zhì)[17].即不僅將實施非自愿許可限定在國家處于緊急狀態(tài)或者作為不正當競爭行為的救濟措施的條件上，而且將這種許可方式界定為非獨占的、有償?shù)摹２⑶?，當實施非自愿許可的條件一旦消失，該許可就應當被終止。這些規(guī)定同Trips協(xié)議以及《巴黎公約》中關于強制許可的規(guī)定基本一致[18].

    四、實施效果的評價

    中國的《集成電路布圖設計保護條例》從起草到頒布大約經(jīng)歷了10年的歷程，應該說在立法方面基本遵循了國際上的通行做法，但在該條例實施的頭15個月里，國家知識產(chǎn)權(quán)局總共接到的布圖設計權(quán)申請數(shù)量為245件[19]，平均每月不足17件。到目前為止，中國尚未見有依照該條例判決的案件。這種情況同專利法、著作權(quán)法等其他知識產(chǎn)權(quán)相關法律門庭若市的狀態(tài)相比顯然呈門可羅雀之狀。但如果從世界范圍著眼，這一現(xiàn)象并非中國特色。美國作為集成電路的制造大國，在其《半導體芯片保護法》頒布20年后的今天，訴至法院的案件也屈指可數(shù)。德國作為歐洲的技術(shù)大國，每年在其專利商標局登記的布圖設計數(shù)量較之專利、商標的申請量也可謂小巫見大巫。所以中國的現(xiàn)狀完全是正常狀態(tài)。

    這種狀態(tài)從反面提出了一個問題，即我們是否應當對現(xiàn)行知識產(chǎn)權(quán)立法的合理性進行反思？近20年來，國際知識產(chǎn)權(quán)立法可謂突飛猛進。第一個十年，完成了知識產(chǎn)權(quán)立法的總體框架；第二個十年，完全在立法上達到發(fā)達國家的立法水平。如此發(fā)展速度固然有國內(nèi)經(jīng)濟技術(shù)進步在宏觀上帶來的動力，但在微觀上這些年的立法似乎過分地強調(diào)一時一事的需求，而忽略了知識產(chǎn)權(quán)法內(nèi)在的邏輯聯(lián)系和產(chǎn)業(yè)發(fā)展的長遠需求。比如，近10余年中發(fā)生在著作權(quán)法中的一系列事件，如計算機程序、技術(shù)措施、MP3、P2P等無不反映出這種傾向。如今，在集成電路新產(chǎn)品遍布于世的信息時代，集成電路布圖設計的立法似乎只具有一種象征意義，人們并沒有踴躍地選擇這種保護模式。這并非因為大家不看重集成電路本身，相反產(chǎn)業(yè)界對于集成電路的重視程度與計算機程序完全相當。因為集成電路是計算機硬件的核心，人們不可能對集成電路技術(shù)漠不關心。人們冷落集成電路布圖設計保護法的原因還在于現(xiàn)實的需求和已有的法律框架間存在差距。

    進入20世紀80年代后期，由于集成電路產(chǎn)品更新速度大大地加快，這從計算機CPU芯片的更新上得到充分地反映。面對如此更新速度，即使是簡單地復制這類超大規(guī)模芯片的布圖設計也難以跟上技術(shù)的更新速度。隨著計算機輔助設計技術(shù)的普及，設計工作不再單純采用人工設計，大量的設計工作通過工具軟件直接生成。換言之，單純復制布圖設計未必能立即給復制者帶來豐厚的利益。此外，集成電路產(chǎn)品的設計不再僅僅取決于布圖設計圖形，相關工藝設計在產(chǎn)品制造中也發(fā)揮著越來越重要的作用。這些技術(shù)因素的變化致使原有的法律保護模式有隔靴搔癢之感。這必然導致集成電路布圖設計保護法被打入冷宮。當然，事物的發(fā)展是呈螺旋狀態(tài)的，當技術(shù)發(fā)展到一定程度后還會呈現(xiàn)新的瓶頸。這時技術(shù)更新的速度會大大放慢。到這時復制布圖設計在諸多因素中或許又會重新回到主導地位，到那時這種以前述“美國模式”為基礎的法律的作用或許又會重新顯現(xiàn)出來。

    五、結(jié)論

    中國的集成電路保護法在現(xiàn)階段只具有象征意義，因為在中國現(xiàn)在的土壤中保護集成電路布圖設計的需求尚不十分強烈。這一方面是因為中國的集成電路產(chǎn)業(yè)尚不夠發(fā)達，另一方面也是因為目前的保護模式并不完全適應產(chǎn)業(yè)界的需求。但中國作為國際社會的一員，為了保持與國際社會的一致性仍然頒布了這一法規(guī)。這一事實本身也說明了中國希望融入國際社會的愿望和決心。另一方面，國際社會在創(chuàng)設知識產(chǎn)權(quán)制度中的新規(guī)則時，應當從過去的實踐中總結(jié)經(jīng)驗教訓，更全面、更客觀地根據(jù)長遠需求，而不是眼前利益決定制度的發(fā)展和進步……

    注釋

    [1]本文根據(jù)2004年10月10日在中德知識產(chǎn)權(quán)研討會上發(fā)言稿修改而成。

    [2]見中華人民共和國國務院令第300號。

    [3]中國《集成電路布圖設計保護條例》第二條第一項規(guī)定：“集成電路，是指半導體集成電路，即以半導體材料為基片，將至少有一個是有源元件的兩個以上元件和部分或者全部互連線路集成在基片之中或者基片之上，以執(zhí)行某種電子功能的中間產(chǎn)品或者最終產(chǎn)品”。

    [4] 見Morton David Goldberg，Computer software and Chips（protection and Marketing） 1985一Volume one，Practising Law Institute，page 203；又見Alfred P.Meijboom International Semiconductor Chip Protection，International Computer Law Adviser  Dec.1988；以及美國法典第17編第9章第901、902條。

    [5]見美國法典第17編第9章。

    [6]見郭禾，《半導體集成電路知識產(chǎn)權(quán)保護》載《中國人民大學學報》2004年第1期，總103期。

    [7]見歐共體《關于半導體產(chǎn)品形貌結(jié)構(gòu)法律保護的指令》（87/54）。

    [8]早在約20年前編寫的《中國大百科全書??電子學與計算機》就以布圖設計作為主詞條。見《中國大百科全書??電子學與計算機》第55頁。

    [9]見郭禾，《集成電路布圖設計權(quán)—一種新型的知識產(chǎn)權(quán)》，載《知識產(chǎn)權(quán)》雜志，1992年第6期。

    [10]見中國《集成電路布圖設計保護條例》第7條。

    [11]見TriPs第35、36條。見wIPO集成電路條約第3條第2項（a）、（b），美國《半導體芯片產(chǎn)品保護法》第902條（b）款。

    [12]見wIPO集成電路條約第3條第2項（a）、（b），美國《半導體芯片產(chǎn)品保護法》第902條（b）款。見歐共體《關于半導體產(chǎn)品形貌結(jié)構(gòu)法律保護的指令》（87/54）。

    [13]見歐共體《關于半導體產(chǎn)品形貌結(jié)構(gòu)法律保護的指令》（87/54）。

    [14]見TriPs協(xié)議第36條。

    [15]見中國《集成電路布圖設計保護條例》第23條。

    [16]見中國《集成電路布圖設計保護條例》第24條。

    [17]見中國《集成電路布圖設計保護條例》第25一29條。

    [18]見Trips協(xié)議第37條第2款、第31條，巴黎公約第5條。

篇3

1、集成電路產(chǎn)業(yè)是信息產(chǎn)業(yè)的核心，是國家基礎戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)。

集成電路（IC）是集多種高技術(shù)于一體的高科技產(chǎn)品，是所有整機設備的心臟。隨著技術(shù)的發(fā)展，集成電路正在發(fā)展成為集成系統(tǒng)（SOC），而集成系統(tǒng)本身就是一部高技術(shù)的整機，它幾乎存在于所有工業(yè)部門，是衡量一個國家裝備水平和競爭實力的重要標志。

2、集成電路產(chǎn)業(yè)是技術(shù)資金密集、技術(shù)進步快和投資風險高的產(chǎn)業(yè)。

80年代建一條6英寸的生產(chǎn)線投資約2億美元，90年代一條8英寸的生產(chǎn)線投資需10億美元，現(xiàn)在建一條12英寸的生產(chǎn)線要20億－30億美元，有人估計到2010年建一條18英寸的生產(chǎn)線，需要上百億美元的投資。

集成電路產(chǎn)業(yè)的技術(shù)進步日新月異，從70年代以來，它一直遵循著摩爾定律:芯片集成元件數(shù)每18個月增加一倍。即每18個月芯片集成度大體增長一倍。這種把技術(shù)指標及其到達時限準確地擺在競爭者面前的規(guī)律，為企業(yè)提出了一個“永難喘息”，否則就“永遠停息”的競爭法則。

據(jù)世界半導體貿(mào)易統(tǒng)計組織(WSTS)**年春季公布的最新數(shù)據(jù)，**年世界半導體市場銷售額為1664億美元，比上年增長18.3%。其中，集成電路的銷售額為1400億美元，比上年增長16.1%。

3、集成電路產(chǎn)業(yè)專業(yè)化分工的形成。

90年代，隨著因特網(wǎng)的興起，IC產(chǎn)業(yè)跨入以競爭為導向的高級階段，國際競爭由原來的資源競爭、價格競爭轉(zhuǎn)向人才知識競爭、密集資本競爭。人們認識到，越來越龐大的集成電路產(chǎn)業(yè)體系并不有利于整個IC產(chǎn)業(yè)發(fā)展，分才能精，整合才成優(yōu)勢。

由于生產(chǎn)效率低，成本高，現(xiàn)在世界上的全能型的集成電路企業(yè)已經(jīng)越來越少。“垂直分工”的方式產(chǎn)品開發(fā)能力強、客戶服務效率高、生產(chǎn)設備利用率高，整體生產(chǎn)成本低，因此是集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的方向。

目前，全世界70%的集成電路是由數(shù)萬家集成電路設計企業(yè)開發(fā)和設計的，由近十家芯片集團企業(yè)生產(chǎn)芯片，又由數(shù)十家的封裝測試企業(yè)對電路進行封裝和測試。即使是英特爾、超微半導體等全能型大企業(yè)，他們自己開發(fā)和設計的電路也有超過50%是由芯片企業(yè)和封裝測試企業(yè)進行加工生產(chǎn)的。

IC產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)向高度專業(yè)化轉(zhuǎn)化已成為一種趨勢，開始形成了設計業(yè)、制造業(yè)、封裝業(yè)、測試業(yè)獨立成行的局面。

二、蘇州工業(yè)園區(qū)的集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀

根據(jù)國家和江蘇省的集成電路產(chǎn)業(yè)布局規(guī)劃，蘇州市明確將蘇州工業(yè)園區(qū)作為發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)的重點基地，通過積極引進、培育一批在國際上具有一定品牌和市場占有率的集成電路企業(yè)，使園區(qū)盡快成為全省、乃至全國的集成電路產(chǎn)業(yè)最重要基地之一。

工業(yè)園區(qū)管委會著眼于整個高端IC產(chǎn)業(yè)鏈的引進，形成了以“孵化服務設計研發(fā)晶圓制造封裝測試”為核心，IC設備、原料及服務產(chǎn)業(yè)為支撐，由數(shù)十家世界知名企業(yè)組成的完整的IC產(chǎn)業(yè)“垂直分工”鏈。

目前整個蘇州工業(yè)園區(qū)范圍內(nèi)已經(jīng)積聚了大批集成電路企業(yè)。有集成電路設計企業(yè)21戶；集成電路芯片制造企業(yè)1家，投資總額約10億美元；封裝測試企業(yè)11家，投資總額約30億美元。制造與封裝測試企業(yè)中，投資總額超過80億元的企業(yè)3家。上述33家集成電路企業(yè)中，已開業(yè)或投產(chǎn)（包括部分開業(yè)或投產(chǎn)）21家。**年，經(jīng)過中國半導體行業(yè)協(xié)會集成電路分會的審查，第一批有8戶企業(yè)通過集成電路生產(chǎn)企業(yè)的認定，14項產(chǎn)品通過集成電路生產(chǎn)產(chǎn)品的認定。**年，第二批有1戶企業(yè)通過集成電路生產(chǎn)企業(yè)的認定，102項產(chǎn)品通過集成電路生產(chǎn)產(chǎn)品的認定。21戶設計企業(yè)中，有3戶企業(yè)通過中國集成電路行業(yè)協(xié)會的集成電路設計企業(yè)認定(備案)。

1、集成電路設計服務企業(yè)。

如中科集成電路。作為政府設立的非營利性集成電路服務機構(gòu)，為集成電路設計企業(yè)提供全方位的信息服務，包括融資溝通、人才培養(yǎng)、行業(yè)咨詢、先進的設計制造技術(shù)、軟件平臺、流片測試等。力爭扮演好園區(qū)的集成電路設計“孵化器”的角色。

2、集成電路設計企業(yè)。

如世宏科技、瑞晟微電子、憶晶科技、揚智電子、詠傳科技、金科集成電路、凌暉科技、代維康科技、三星半導體（中國）研究開發(fā)中心等。

3、集成電路芯片制造企業(yè)。

和艦科技。已于**年5月正式投產(chǎn)8英寸晶圓，至**年3月第一條生產(chǎn)線月產(chǎn)能已達1.6萬片。第二條8英寸生產(chǎn)線已與**年底開始動工，**年第三季度開始裝機，預計將于2005年初開始投片。到今年年底，和艦科技總月產(chǎn)能預計提升到3.2萬片。和艦目前已成功導入0.25-0.18微米工藝技術(shù)。近期和艦將進一步引進0.15-0.13微米及納米技術(shù)，研發(fā)更先進高階晶圓工藝制造技術(shù)。

4、集成電路封裝測試企業(yè)。

如三星半導體、飛索半導體、瑞薩半導體，矽品科技(純代工)、京隆科技(純代工)、快捷半導體、美商國家半導體、英飛凌科技等等。

該類企業(yè)目前是園區(qū)集成電路產(chǎn)業(yè)的主體。通過多年的努力，園區(qū)以其優(yōu)越的基礎設施和逐步形成的良好的產(chǎn)業(yè)環(huán)境，吸引了10多家集成電路封裝測試企業(yè)。以投資規(guī)模、技術(shù)水平和銷售收入來說，園區(qū)的封裝測測試業(yè)均在國內(nèi)處于龍頭地位，**年整體銷售收入占國內(nèi)相同產(chǎn)業(yè)銷售收入的近16%，行業(yè)地位突出。

園區(qū)封裝測試企業(yè)的主要特點：

①普遍采用國際主流的封裝測試工藝，技術(shù)層次處于國內(nèi)領先地位。

②投資額普遍較大：英飛凌科技、飛利浦半導體投資總額均在10億美元以上?？旖莅雽w、飛索半導體、瑞薩半導體均在原先投資額的基礎進行了大幅增資。

③均成為所屬集團后道制程重要的生產(chǎn)基地。英飛凌科技計劃產(chǎn)能要達到每年8億塊記憶體(DRAM等)以上，是英飛凌存儲事業(yè)部最主要的封裝測試基地；飛索半導體是AMD和富士通將閃存業(yè)務強強結(jié)合成立的全球最大的閃存公司在園區(qū)設立的全資子公司，園區(qū)工廠是其最主要的閃存生產(chǎn)基地之一。

5、配套支持企業(yè)

①集成電路生產(chǎn)設備方面。有東和半導體設備、愛得萬測試、庫力索法、愛發(fā)科真空設備等企業(yè)。

②材料/特殊氣體方面。有英國氧氣公司、比歐西聯(lián)華、德國梅塞爾、南大光電等氣體公司。有住友電木等封裝材料生產(chǎn)企業(yè)?？巳R恩等光刻膠生產(chǎn)企業(yè)。

③潔凈房和凈化設備生產(chǎn)和維護方面。有久大、亞翔、天華超凈、MICROFORM、專業(yè)電鍍（TECHNIC）、超凈化工作服清洗（雅潔）等等。

**年上半年，園區(qū)集成電路企業(yè)(全部)的經(jīng)營情況如下(由園區(qū)經(jīng)發(fā)局提供略)：

根據(jù)市場研究公司iSuppli今年初的**年全球前二十名半導體廠家資料，目前，其中已有七家在園區(qū)設廠。分別為三星電子、瑞薩科技、英飛凌科技、飛利浦半導體、松下電器、AMD、富士通。

三、集成電路產(chǎn)業(yè)涉及的主要稅收政策

1、財稅字［2002］70號《關于進一步鼓勵軟件產(chǎn)業(yè)的集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展稅收政策的通知》明確，自2002年1月1日起至2010年底，對增值稅一般納稅人銷售其自產(chǎn)的集成電路產(chǎn)品（含單晶硅片），按17%的稅率征收增值稅后，對其增值稅實際稅負超過3%的部分實行即征即退政策。

2、財稅字［**］25號《關于鼓勵軟件產(chǎn)業(yè)的集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展有關稅收政策問題的通知》明確，“對我國境內(nèi)新辦軟件生產(chǎn)企業(yè)經(jīng)認定后，自開始獲利年度起，第一年和第二年免征企業(yè)所得稅，第三年至第五年減半征收企業(yè)所得稅”；“集成電路設計企業(yè)視同軟件企業(yè)，享受軟件企業(yè)的有關稅收政策”。

3、蘇國稅發(fā)［**］241號《關于明確軟件和集成電路產(chǎn)品有關增值稅問題的通知》明確，“凡申請享受集成電路產(chǎn)品稅收優(yōu)惠政策的，在國家沒有出臺相應認定管理辦法之前，暫由省轄市國稅局商同級信息產(chǎn)業(yè)主管部門認定，認定時可以委托相關專業(yè)機構(gòu)進行技術(shù)評審和鑒定”。

4、信部聯(lián)產(chǎn)［**］86號《集成電路設計企業(yè)及產(chǎn)品認定管理辦法》明確，“集成電路設計企業(yè)和產(chǎn)品的認定，由企業(yè)向其所在地主管稅務機關提出申請，主管稅務機關審核后，逐級上報國家稅務總局。由國家稅務總局和信息產(chǎn)業(yè)部共同委托認定機構(gòu)進行認定”。

5、蘇國稅發(fā)［**］241號《關于明確軟件和集成電路產(chǎn)品有關增值稅問題的通知》明確，“對納稅人受托加工、封裝集成電路產(chǎn)品，應視為提供增值稅應稅勞務，不享受增值稅即征即退政策”。

6、財稅［1994］51號《關于外商投資企業(yè)和外國企業(yè)所得稅法實施細則第七十二條有關項目解釋的通知》規(guī)定，“細則第七十二條第九項規(guī)定的直接為生產(chǎn)服務的科枝開發(fā)、地質(zhì)普查、產(chǎn)業(yè)信息咨詢業(yè)務是指：開發(fā)的科技成果能夠直接構(gòu)成產(chǎn)品的制造技術(shù)或直接構(gòu)成產(chǎn)品生產(chǎn)流程的管理技術(shù)，……，以及為這些技術(shù)或開發(fā)利用資源提供的信息咨詢、計算機軟件開發(fā)，不包括……屬于上述限定的技術(shù)或開發(fā)利用資源以外的計算機軟件開發(fā)?！?/p>

四、當前稅收政策執(zhí)行中存在的問題

1、集成電路設計產(chǎn)品的認定工作，還沒有實質(zhì)性地開展起來。

集成電路設計企業(yè)負責產(chǎn)品的開發(fā)和電路設計，直接面對集成電路用戶；集成電路芯片制造企業(yè)為集成電路設計企業(yè)將其開發(fā)和設計出來的電路加工成芯片；集成電路封裝企業(yè)對電路芯片進行封裝加工；集成電路測試企業(yè)為集成電路進行功能測試和檢驗，將合格的產(chǎn)品交給集成電路設計企業(yè)，由設計企業(yè)向集成電路用戶提供。在這個過程中，集成電路產(chǎn)品的知識產(chǎn)權(quán)和品牌的所有者是集成電路設計企業(yè)。

因為各種電路產(chǎn)品的功能不同，生產(chǎn)工藝和技術(shù)指標的控制也不同，因此無論在芯片生產(chǎn)或封裝測試過程中，集成電路設計企業(yè)的工程技術(shù)人員要提出技術(shù)方案和主要工藝線路，并始終參與到各個生產(chǎn)環(huán)節(jié)中。因此，集成電路設計企業(yè)在集成電路生產(chǎn)的“垂直分工”體系中起到了主導的作用。處于整個生產(chǎn)環(huán)節(jié)的最上游，是龍頭。

雖說IC設計企業(yè)遠不如制造封裝企業(yè)那么投資巨大，但用于軟硬件、人才培養(yǎng)的投入也是動則上千萬。如世宏科技目前已積聚了超過百位的來自高校的畢業(yè)生和工作經(jīng)驗在豐富的技術(shù)管理人才。同時還從美國硅谷網(wǎng)羅了將近20位累計有200年以上IC產(chǎn)品設計經(jīng)驗、擁有先進技術(shù)的海歸派人士。在人力資源上的投入達450萬元∕季度，軟硬件上的投入達**多萬元。中科集成電路的EDA設計平臺一次性就投入2500萬元。

園區(qū)目前共有三戶企業(yè)被國家認定為集成電路設計企業(yè)。但至關重要的集成電路設計產(chǎn)品的認定一家也未獲得。由于集成電路設計企業(yè)的主要成本是人力成本、技術(shù)成本(技術(shù)轉(zhuǎn)讓費)，基本都無法抵扣。同時，研發(fā)投入大、成品風險高、產(chǎn)出后的計稅增值部分也高，因此如果相關的增值稅優(yōu)惠政策不能享受，將不利于企業(yè)的發(fā)展。

所以目前，該類企業(yè)的研發(fā)主體大都還在國外或臺灣，園區(qū)的子公司大多數(shù)還未進入獨立產(chǎn)品的研發(fā)階段。同時，一些真正想獨立產(chǎn)品研發(fā)的企業(yè)都處于觀望狀態(tài)或轉(zhuǎn)而從事提供設計服務，如承接國外總公司的設計分包業(yè)務等。并且由于享受優(yōu)惠政策前景不明，這些境外IC設計公司往往把設在園區(qū)的公司設計成集團內(nèi)部成本中心，即把一部分環(huán)節(jié)研發(fā)轉(zhuǎn)移至園區(qū)，而最終產(chǎn)品包括晶圓代工、封裝測試和銷售仍在境外完成。一些設計公司目前純粹屬于國外總公司在國內(nèi)的售后服務機構(gòu)，設立公司主要是為了對國外總公司的產(chǎn)品進行分析，檢測、安裝等，以利于節(jié)省費用或為將來的進入作準備。與原想象的集成電路設計企業(yè)的龍頭地位不符。因此，有關支持政策的不能落實將嚴重影響蘇州工業(yè)園區(qū)成為我國集成電路設計產(chǎn)業(yè)的重要基地的目標。

2、集成電路設計企業(yè)能否作為生產(chǎn)性外商投資企業(yè)享受所得稅優(yōu)惠未予明確。

目前，園區(qū)共有集成電路設計企業(yè)23家，但均為外商投資企業(yè)，與境外母公司聯(lián)系緊密?；緦儆诩瘓F內(nèi)部成本中心，離產(chǎn)品研發(fā)的本地化上還有一段距離。但個別公司已在本地化方面實現(xiàn)突破，愿承擔高額的增值稅稅負并取得了一定的利潤。能否據(jù)此確認為生產(chǎn)性外商投資企業(yè)享受“二免三減半”等所得稅優(yōu)惠政策，目前稅務部門還未給出一個肯定的答復。

關鍵是所得稅法第七十二條“生產(chǎn)性外商投資企業(yè)是指…直接為生產(chǎn)服務的科技開發(fā)、地質(zhì)普查、產(chǎn)業(yè)信息咨詢和生產(chǎn)設備、精密儀器維修服務業(yè)”的表述較為含糊。同時，財稅［1994］51號對此的解釋也使稅務機關難以把握。

由于集成電路設計業(yè)是集成電路產(chǎn)業(yè)鏈中風險最大，同時也是利潤最大的一塊。如果該部分的所得稅問題未解決，很難想象外國公司會支持國內(nèi)設計子公司的獨立產(chǎn)品研發(fā)，會支持國內(nèi)子公司的本土化進程。因此，生產(chǎn)性企業(yè)的認定問題在一定程度上阻礙了集成電路設計企業(yè)的發(fā)展壯大。

3、目前的增值稅政策不能適應集成電路的垂直分工的要求。

在垂直分工的模式下，集成電路從設計芯片制造封裝測試是由不同的公司完成的，每個公司只承擔其中的一個環(huán)節(jié)。按照國際通行的半導體產(chǎn)業(yè)鏈流程，設計公司是整條半導體生產(chǎn)線的龍頭，受客戶委托，設計有自主品牌的芯片產(chǎn)品，然后下單給制造封裝廠，并幫助解決生產(chǎn)中遇到的問題。國際一般做法是：設計公司接受客戶的貨款，并向制造封裝測試廠支付加工費。各個制造公司相互之間的生產(chǎn)關系是加工關系而非貿(mào)易關系。在財務上只負責本環(huán)節(jié)所需的材料采購和生產(chǎn)，并不包括上環(huán)節(jié)的價值。在稅收上，省局明確該類收入目前不認可為自產(chǎn)集成電路產(chǎn)品的銷售收入，因此企業(yè)無法享受國家稅收的優(yōu)惠政策。

而在我國現(xiàn)行的稅收體制下，如果整個生產(chǎn)環(huán)節(jié)都在境內(nèi)完成，則每一個加工環(huán)節(jié)都要征收17%的增值稅，只有在最后一個環(huán)節(jié)完成后，發(fā)起方銷售時才會退還其超過3%的部分，具體體現(xiàn)在增值稅優(yōu)惠方面，只有該環(huán)節(jié)能享受優(yōu)惠。因此，產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)因為享受稅收政策的不同而被迫各自依具體情況采取不同的經(jīng)營方式，因而導致相互合作困難，切斷了形式上的完整產(chǎn)業(yè)鏈。

國家有關文件的增值稅政策的實質(zhì)是側(cè)重于全能型集成電路企業(yè)，而沒有充分考慮到目前集成電路產(chǎn)業(yè)的垂直分工的格局?；螂m然考慮到該問題但出于擔心稅收征管的困難而采取了一刀切的方式。

4、出口退稅率的調(diào)整對集成電路產(chǎn)業(yè)的影響巨大。

今年開始，集成電路芯片的出口退稅稅率由原來的17%降低到了13%，這對于國內(nèi)的集成電路企業(yè)，尤其是出口企業(yè)造成了成本上升，嚴重影響了國內(nèi)集成電路生產(chǎn)企業(yè)的出口競爭力。如和艦科技，**年1-7月，外銷收入78322萬元，由于出口退稅率的調(diào)低而進項轉(zhuǎn)出2870萬元。三星電子為了降低成本，貿(mào)易方式從一般貿(mào)易、進料加工改為更低級別的來料加工。

集成電路產(chǎn)業(yè)作為國家支持和鼓勵發(fā)展的基礎性戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè)，在本次出口退稅機制調(diào)整中承受了巨大的壓力。而科技含量與集成電路相比是劃時代差異的印刷線路板的退稅率卻保持17%不變，這不符合國家促進科技進步的產(chǎn)業(yè)導向。

五、關于促進集成電路產(chǎn)業(yè)進一步發(fā)展的稅收建議

1、在流轉(zhuǎn)稅方面。

(1)集成電路產(chǎn)業(yè)鏈的各個生產(chǎn)環(huán)節(jié)都能享受增值稅稅收優(yōu)惠。

社會在發(fā)展，專業(yè)化分工成為必然。從鼓勵整個集成電路行業(yè)發(fā)展的前提出發(fā)，有必要對集成電路產(chǎn)業(yè)鏈內(nèi)的以加工方式經(jīng)營的企業(yè)也給予同樣的稅收優(yōu)惠。

(2)集成電路行業(yè)試行消費型增值稅。

由于我國的集成電路行業(yè)起步低，目前基本上全部的集成電路專用設備都需進口，同時，根據(jù)已有的海關優(yōu)惠政策，基本屬于免稅進口。調(diào)查得知，園區(qū)集成電路企業(yè)**年度購入固定資產(chǎn)39億，其中免稅購入的固定資產(chǎn)為36億。因此，對集成電路行業(yè)試行消費型增值稅，財政壓力不大。同時，既體現(xiàn)了國家對集成電路行業(yè)的鼓勵，又可進一步促進集成電路行業(yè)在擴大再生產(chǎn)的過程中更多的采購國產(chǎn)設備，拉動集成電路設備生產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

2、在所得稅方面。

(1)對集成電路設計企業(yè)認定為生產(chǎn)性企業(yè)。

根據(jù)總局文件的定義，“集成電路設計是將系統(tǒng)、邏輯與性能的設計要求轉(zhuǎn)化為具體的物理版圖的過程”。同時，集成電路設計的產(chǎn)品均為不同類型的芯片產(chǎn)品或控制電路。都屬中間產(chǎn)品，最終的用途都是工業(yè)制成品。因此，建議對集成電路設計企業(yè),包括未經(jīng)認定但實際從事集成電路設計的企業(yè)，均可適用外資所得稅法實施細則第七十二條之直接為生產(chǎn)服務的科技開發(fā)、地質(zhì)普查、產(chǎn)業(yè)信息咨詢和生產(chǎn)設備、精密儀器維修服務業(yè)屬生產(chǎn)性外商投資企業(yè)的規(guī)定。

(2)加大間接優(yōu)惠力度，允許提取風險準備金。

計提風險準備金是間接優(yōu)惠的一種主要手段，它雖然在一定時期內(nèi)減少了稅收收入，但政府保留了今后對企業(yè)所得的征收權(quán)力。對企業(yè)來說它延遲了應納稅款的時間，保證了研發(fā)資金的投入，增強了企業(yè)抵御市場風險的能力。

集成電路行業(yè)是周期性波動非常明顯的行業(yè)，充滿市場風險。雖然目前的政策體現(xiàn)了加速折舊等部分間接優(yōu)惠內(nèi)容，但可能考慮到征管風險而未在最符合實際、支持力度最直接的提取風險準備金方面有所突破。

3、提高集成電路產(chǎn)品的出口退稅率。

鑒于發(fā)展集成電路行業(yè)的重要性，建議爭取集成電路芯片的出口退稅率恢復到17%，以優(yōu)化國內(nèi)集成電路企業(yè)的投資和成長環(huán)境。

4、關于認定工作。

(1)盡快進行集成電路設計產(chǎn)品認定。

目前的集成電路優(yōu)惠實際上側(cè)重于對結(jié)果的優(yōu)惠，而對設計創(chuàng)新等過程(實際上)并不給予優(yōu)惠?？萍歼M步在很大程度上取決于對創(chuàng)新研究的投入，而集成電路設計企業(yè)技術(shù)創(chuàng)新研究前期投入大、風險高，此過程最需要稅收上的扶持。

鑒于集成電路設計企業(yè)將有越來越多產(chǎn)品推出，有權(quán)稅務機關和相關部門應協(xié)調(diào)配合，盡快開展對具有自主知識產(chǎn)權(quán)的集成電路設計產(chǎn)品的認定工作。

(2)認定工作應由專業(yè)機構(gòu)來完成，稅務機關不予介入。

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1.1實驗用水來源

實驗用水為上海市有代表性的集成電路和印制電路板等半導體工業(yè)企業(yè)處理后的生產(chǎn)廢水、某獨立排水系統(tǒng)區(qū)域內(nèi)的地下水、地表水（周圍河水）及雨水泵站末端出流。

1.2樣品采集方法

借鑒EPA針對污染特征因子的采樣方法，在半導體企業(yè)正常生產(chǎn)時期內(nèi)，每半小時在總排口進行水樣采集，共采集20個批次有效水樣；其它類型的水樣為每小時采集一次，共采集10個批次有效水樣，且水樣采集前48h和采集時間內(nèi)為晴天。

1.3實驗儀器

分析儀器：FA2004N電子天平、Agilent720ES等離子體發(fā)射光譜儀（ICP）、紫外分光光度計、磁力攪拌器、移液槍、滴定儀、雷磁PXSJ－216型氟離子計等。

1.4分析項目及檢測方法

CODCr、氨氮、硬度、表面活性劑、氰化物等采用國家標準方法進行檢測，氟離子濃度采用氟離子計進行檢測，銅、鋅等金屬離子用ICP檢測。

2試驗結(jié)果與分析

2.1不同類型水質(zhì)中氟離子濃度比較

半導體工業(yè)企業(yè)生產(chǎn)廢水經(jīng)過物化和生化處理后，氟離子濃度雖然可以達到上海市半導體行業(yè)污染物排放標準，但其數(shù)值仍然相對較大。印制電路板企業(yè)處理后的生產(chǎn)廢水氟離子濃度為1．55～11．64mg／L，集成電路企業(yè)廢水處理后氟離子濃度為6．92～11．99mg／L，這與戴榮海等得出的集成電路產(chǎn)業(yè)廢水處理后氟離子濃度的水平是相當?shù)?。雖然其總體已滿足達標排放的要求，但相較其它類型的水體，氟離子濃度是異常的高。如圖2所示，地表水、生活污水、地下水中氟離子濃度雖各在一定的范圍內(nèi)，但其總體水平都很低，均值濃度不超過2mg／L，遠低于半導體工業(yè)企業(yè)廢水中氟離子濃度。

2.2氟離子作為半導體工業(yè)廢水污染特征因子的可行性分析

目前國內(nèi)外關于半導體工業(yè)廢水的污染特征因子研究很少或沒有。美國EPA雨水系統(tǒng)混接調(diào)查技術(shù)指南中也只是羅列出部分工業(yè)生產(chǎn)過程中可能的污染特征因子。根據(jù)半導體工業(yè)企業(yè)的一般工藝過程，氟離子是可能的污染特征因子之一，同時鉻、銅、鋅和氰化物等也可能成為污染特征因子。但試驗結(jié)果并沒有檢測到銅、鋅等金屬離子的存在，氰化物濃度也只是略高于最低檢測限。由于印制電路板和集成電路企業(yè)是半導體行業(yè)的主要組成部分，因此可將印制電路板企業(yè)生產(chǎn)廢水和集成電路企業(yè)生產(chǎn)廢水中氟離子濃度視為半導體工業(yè)廢水中氟離子濃度，且氟離子濃度指標為保守型物質(zhì)，管道中基本不發(fā)生物化、生化反應；同時其在不同混接類型水中的濃度差異顯著，且具體針對每一種類型，濃度相對穩(wěn)定；而且具有良好的檢出限、靈敏度和較高的可重復性，符合美國EPA對污染特征因子的確定標準。

3結(jié)論與建議

（1）氟離子濃度可作為以印制電路板和集成電路為主的半導體工業(yè)廢水的污染特征因子，其濃度均值為7．3mg／L，遠高于其它類型的水質(zhì)。

（2）氟離子濃度可作為半導體工業(yè)廢水污染特征因子用于雨污混接問題中混接水量的計算，但由于在混接類型的確定過程中進行了簡化處理，且濃度數(shù)據(jù)是以均值代入，因此只能得到相對比較接近的混接水量比例。

（3）針對以印制電路板和集成電路為主的半導體工業(yè)廢水，可應用氟離子濃度作為污染特征因子用于雨污混接的混接源診斷。若要計算混接水量比例，需事先對研究范圍內(nèi)的工業(yè)企業(yè)進行分析，同時還需選擇相對獨立的排水系統(tǒng)，便于水量和污染特征因子的守恒計算。

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IC芯片(IntegratedCircuit集成電路)是將大量的微電子元器件(晶體管、電阻、電容等)形成的集成電路放在一塊塑基上，做成一塊芯片。而今幾乎所有看到的芯片，都可以叫做IC芯片。

集成電路（integratedcircuit）是一種微型電子器件或部件。采用一定的工藝，把一個電路中所需的晶體管、二極管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，制作在一小塊或幾小塊半導體晶片或介質(zhì)基片上，然后封裝在一個管殼內(nèi)，成為具有所需電路功能的微型結(jié)構(gòu)；其中所有元件在結(jié)構(gòu)上已組成一個整體，使電子元件向著微小型化、低功耗和高可靠性方面邁進了一大步。它在電路中用字母“IC”表示。集成電路發(fā)明者為杰克·基爾比（基于硅的集成電路）和羅伯特·諾伊思（基于鍺的集成電路）。當今半導體工業(yè)大多數(shù)應用的是基于硅的集成電路

（來源：文章屋網(wǎng) ）

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隨著國際各大半導體制造企業(yè)進入中國，中國的半導體測試業(yè)伴隨半導體設計/制造業(yè)一樣進入國際化。中國的半導體測試業(yè)必須選擇恰當?shù)那腥朦c，在滿足現(xiàn)有低端測試服務的基礎上，大力開拓中端市場；在高端市場上積極開展合作，引進技術(shù)，爭取跨越式發(fā)展。

測試對設備的新要求

隨著IC設計、制造業(yè)的快速發(fā)展，高速、高密度、SOC、ASIC等新型芯片不斷出現(xiàn)，對測試設備提出了高速、高密度、通用性、高性/價比的要求。但高速、高密度、高性能的要求，必然導致測試系統(tǒng)的工藝、結(jié)構(gòu)、器件性能、復雜性的提高，從而使得測試系統(tǒng)體積增加、成本提高。雖然新技術(shù)、新器件的使用，提高了測試系統(tǒng)的速度和性能，降低了功耗和成本，但測試性能永遠要高于被測芯片的性能，新型高性能IC的速度達到幾百兆甚至幾千兆，通道數(shù)達到幾百個到幾千個。所以高端、高性能的測試系統(tǒng)仍然是高價格、大體積的特點。

國際上先進的測試設備制造商都針對主流測試市場推出中、高檔測試設備、但任何一款測試設備都不能滿足不斷更新的測試需求，性能、價格的矛盾，適應性和復雜性的矛盾仍需解決。各大測試設備制造商（如泰瑞達、愛德萬）都先后提出測試系統(tǒng)的開放性和標準化，使系統(tǒng)具有靈活配置、不斷升級、快速編程，以適應各種測試需求。但目前國際化的測試系統(tǒng)開放性標準仍未形成。主要是各大測試設備制造商都希望采用各自的標準。所以目前測試系統(tǒng)的開放標準都有局限性。

國內(nèi)測試市場正以前所未有的速度增長，隨著中國CAD設計水平的提高，將會有大量的各類SOC、ASIC等國產(chǎn)芯片出現(xiàn)，貼近測試市場，提供快速、靈活配置，優(yōu)良的技術(shù)服務，符合國內(nèi)市場需求價位的國產(chǎn)測試設備，將是最受歡迎的測試設備。為此,北京自動測試技術(shù)研究所早在1998年就開展了開放性測試系統(tǒng)的研發(fā)，我們采用國際儀器、測控行業(yè)推行的開放性、標準化總線VXI、PXI總線，使我們的設備從低端到中高端產(chǎn)品都建立在統(tǒng)一的開放性、標準化總線結(jié)構(gòu)上，保證了產(chǎn)品的兼容性、延續(xù)性、開放性及標準化的特點，加快了產(chǎn)品的升級換代。利用其開放性、標準化特點，可方便插入各儀器制造商提供的通用VXI、PXI測量，測試模塊靈活配置系統(tǒng)。這對今后大量涌現(xiàn)的數(shù)?；旌?、SOC芯片測試提供了大量測試資源。能夠根據(jù)測試需求，以最優(yōu)性/價比配置系統(tǒng)。

測試服務業(yè)的新機遇

到2010年，全國集成電路產(chǎn)量將要達到500億塊，將占當時世界市場份額的5％，滿足國內(nèi)市場50％的需求，基本形成具有一定規(guī)模的產(chǎn)業(yè)群和較為完整的產(chǎn)業(yè)鏈。集成電路產(chǎn)業(yè)是由設計業(yè)、制造業(yè)、封裝業(yè)和測試業(yè)等四業(yè)組成。測試業(yè)的生存和發(fā)展與IC產(chǎn)業(yè)息息相關。

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【關鍵詞】電子信息材料；低碳經(jīng)濟；發(fā)展應用；集成電路和半導體材料

進入新世紀以后，節(jié)能環(huán)保的概念開始在全世界范圍內(nèi)普及，作為低碳環(huán)保的一項有效途徑，低碳經(jīng)濟的發(fā)展可以有效地促進整個社會的節(jié)能環(huán)?；顒?。低碳經(jīng)濟指的就是依托于低能耗、低污染、低排放的“三低要求”來作為核心的節(jié)能環(huán)保經(jīng)濟模式，這是人類文明的又一偉大壯舉。目前，我國在“可持續(xù)發(fā)展”的理念的指導下，在社會中大力采用“低碳經(jīng)濟”的生產(chǎn)模式，成功的實現(xiàn)了經(jīng)濟效益和環(huán)保效益的雙豐收。眾所周知，二十一世紀是電子信息的時代，人類社會對電子信息材料的需求量也是與日俱增，如何有效的實現(xiàn)電子信息材料的低碳經(jīng)濟，已經(jīng)成為了電子信息行業(yè)發(fā)展的一項重大課題。

一、簡要介紹各種可以用于低碳經(jīng)濟發(fā)展模式的電子信息材料

目前，在世界的電子信息行業(yè)里面，可以用來作為電子信息材料的主要材料有以下幾種：光電子材料、納米材料、寬禁半導體材料等等。目前，為了響應電子信息材料的低碳經(jīng)濟發(fā)展，可以根據(jù)這些原料的特性研制出以下這些電子信息材料：

1、電子信息材料中的光電子材料

電子信息材料的光電子材料主要指的是液晶材料。目前，液晶材料已經(jīng)在電子信息行業(yè)得到了廣泛應用，在電子信息行業(yè)里面，液晶材料絕大部分被應用于電子顯示屏等高新技術(shù)范圍之內(nèi)。液晶材料的特性之一便是“光線扭曲向列型”，這種特性可以使液晶材料在有電流經(jīng)過的時候通過對電流的改變來實現(xiàn)對電子顯示屏上面的液晶序列的排列順序的改變。與此同時，再有電流經(jīng)過電子顯示屏的液晶材料的時候，外面的光線是不能夠直接穿過電子顯示屏的液晶材料的，這就使得液晶材料有成為低碳經(jīng)濟的特性。與傳統(tǒng)的其他電子顯示屏材料相比，液晶材料具有很多優(yōu)良的特性，液晶材料的能耗低已經(jīng)精確的準確性以及迅捷的反應，再加上柔和的調(diào)色功能。除此之外，液晶材料還是一種很有效的非線性光學材料，液晶材料的狀態(tài)一般是維持在軟凝聚的狀態(tài)。因此，液晶材料可以有效地實現(xiàn)光折變效應，可以在電子儀器在很低的電流供應下，發(fā)揮出強勁的性能，具有很高的開發(fā)潛力。另外，根據(jù)光學原理之中的光的干涉效應，可以利用光線對液晶材料的干涉作用，使得液晶材料在反射類的光學器件里面得到廣泛的應用。綜上所述，一系列優(yōu)良的特性使得液晶材料已經(jīng)逐步成為應用最廣泛的電子顯示屏使用材料。

2、電子信息材料中的集成電路和半導體材料

目前，世界上的電子信息材料中的集成電路和半導體材料的最基礎的原材料大部分都是多晶硅原料，目前最廣泛采用的制作電子信息材料中的集成電路和半導體材料的技術(shù)則是經(jīng)過改進的西門子法。經(jīng)過改良的西門子法制作多晶硅材料的集成電路和半導體材料的原理如下所述：使用鹽酸和工業(yè)使用的純硅粉在一個規(guī)定的溫度之下發(fā)生合成反應，最終生成三氯氫硅材料，然后再采用分離精餾的手段，對已經(jīng)制得的三氯氫硅材料進行進一步的分離提純工作，最后把提純后的三氯氫硅放置進入氫還原儀器里面經(jīng)行相關反應操作，最后制得高純度的多晶硅，再進一步加工就成為了日常所使用的電子信息材料中的集成電路和半導體材料。

通過改良的西門子法提煉出來的電子信息材料中的集成電路和半導體可以有效地改進目前國際上的光伏零件問題。

二、簡述電子信息材料在低碳經(jīng)濟中的發(fā)展應用思路

目前，根據(jù)節(jié)能環(huán)保和低碳經(jīng)濟的相關要求，電子信息材料在低碳經(jīng)濟中的發(fā)展應用的主體模式應當找尋出新型的發(fā)展趨勢，其總體趨勢應當是朝向電子信息材料的尺寸擴大化、電子零部件的智能化設計、電子材料的多功能作用趨勢、電子材料功能的高度集中化的趨勢發(fā)展。

1、發(fā)展集成電路類的電子信息材料

隨著電子科學與技術(shù)的不斷增長，目前的半導體材料和集成電路的主要材料已經(jīng)成為了環(huán)氧模塑料，通過這樣的原材料設計，可以有效地使得電子信息材料可以滿足低碳經(jīng)濟的節(jié)能環(huán)保的要求。

2、發(fā)展光電子材料類的電子信息材料

隨著電子科學與技術(shù)的不斷增長，作為一種非常有效的信息傳輸類型的電子信息材料，光電子材料在近幾年來得到了快速發(fā)展的機會，這將很有效使得電子信息材料可以滿足低碳經(jīng)濟之中電子材料的多功能作用趨勢、電子材料功能的高度集中化的要求。

3、發(fā)展新型元器件材料類的電子信息材料

隨著電子科學與技術(shù)的不斷增長，作為一種非常有效的降低環(huán)境污染，并可以有效的降低電子信息材料能量消耗的材料，新型元器件材料正在逐漸成為電子信息材料的重點研究項目之一，其可以有效的滿足電子信息材料發(fā)展的電子信息材料的尺寸擴大化、電子零部件的智能化設計要求。

三、結(jié)語

目前，電子信息材料的低碳發(fā)展已經(jīng)成為了電子信息行業(yè)要攻克的主要課題之一，隨著科學技術(shù)的不斷發(fā)展，越來越多的電子信息材料已經(jīng)可以很好的完成節(jié)能環(huán)保的要求。在本文中，筆者將結(jié)合對低碳經(jīng)濟概念的解讀，并簡要的描述了幾種新型的節(jié)能環(huán)保的電子信息材料，并通過這樣的方式，具體的談了談研究了電子信息材料在低碳經(jīng)濟中的發(fā)展應用思路。但是，由于本人的知識水平有限，因此，本文如有不到之處，還望不吝指正。

參考文獻：

[1]李來丙，李立波.新一代綠色無鹵化覆銅板的研制開發(fā)[J]，工程塑料應用，2013，32（5）：42～44

[2]謝廣超，杜新宇，韓江龍.環(huán)氧模塑料在半導體封裝中的應用[J]，中國集成電路，2013，（106）：64～69

[3]侯明，衣寶廉.燃料電池技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀[J]，電源技術(shù)，2012，32（10）：649～654

[4]蘇維.多晶硅生產(chǎn)的節(jié)能減排措施[J]，有色金屬加工，2013，37（2）：57～59

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ic是一種微型電子器件或部件。采用一定的工藝，把一個電路中所需的晶體管、二極管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，制作在一小塊或幾小塊半導體晶片或介質(zhì)基片上，然后封裝在一個管殼內(nèi)，成為具有所需電路功能的微型結(jié)構(gòu)。

集成電路具有體積小，重量輕，引出線和焊接點少，壽命長，可靠性高，性能好等優(yōu)點，同時成本低，便于大規(guī)模生產(chǎn)。它不僅在工、民用電子設備如收錄機、電視機、計算機等方面得到廣泛的應用，同時在軍事、通訊、遙控等方面也得到廣泛的應用。用集成電路來裝配電子設備，其裝配密度比晶體管可提高幾十倍至幾千倍，設備的穩(wěn)定工作時間也可大大提高。集成電路按其功能、結(jié)構(gòu)的不同，可以分為模擬集成電路、數(shù)字集成電路和數(shù)/模混合集成電路三大類。

模擬集成電路又稱線性電路，用來產(chǎn)生、放大和處理各種模擬信號（指幅度隨時間邊疆變化的信號。例如半導體收音機的音頻信號、錄放機的磁帶信號等），其輸入信號和輸出信號成比例關系。而數(shù)字集成電路用來產(chǎn)生、放大和處理各種數(shù)字信號（指在時間上和幅度上離散取值的信號。例如VCD、DVD重放的音頻信號和視頻信號）。

（來源：文章屋網(wǎng) ）

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關鍵詞：微電子工藝；創(chuàng)新性；實驗教學

一、引言

微電子技術(shù)與國家科技發(fā)展密切相關，是21世紀我國重點發(fā)展的技術(shù)方向。在新形勢下，無論軍用還是民用方面都對微電子方向人才有強烈需求。高校微電子專業(yè)是以培養(yǎng)能在微電子學領域內(nèi)，從事半導體器件、集成電路設計、制造和相應的新產(chǎn)品、新技術(shù)、新工藝的研究和開發(fā)等方面工作的高級應用型科技人才為目標的。因此，要求學生不僅要具備堅實的理論基礎，還需具備突出的專業(yè)能力和創(chuàng)新能力，滿足行業(yè)的快速發(fā)展和社會需求。

目前我國微電子行業(yè)中，微電子工藝研究相對于器件和集成電路設計研究工作是滯后的，處于不平衡發(fā)展狀態(tài)，為使行業(yè)發(fā)展更均衡，需要加強微電子工藝人才的培養(yǎng)。微電子工藝是微電子專業(yè)中非常重要的專業(yè)課，主要研究微電子器件與集成電路制造工藝原理與技術(shù)。微電子器件與集成電路尺寸都是在微米甚至納米量級，導致在理論學習過程中，學生理解有一定的困難，因此需要通過開設微電子工藝實驗課程加深和鞏固知識內(nèi)容，使學生更加直接地接觸微電子行業(yè)核心技術(shù)，了解半導體器件、集成電路生產(chǎn)制造加工的技術(shù)方法，從而促進學生對微電子工藝等課程的學習。因此，微電子工藝實驗教學可以有效地彌補理論教學的局限性和抽象性，促進學生對理論課的理解和提高學生的動手能力。

二、課程分析

微電子工藝課程要求掌握制造集成電路所涉及的外延、氧化、摻雜、光刻、刻蝕、化學氣相淀積、物理氣相淀積、金屬化等技術(shù)的原理與方法，熟悉雙極型和M0s集成電路的制造工藝流程，了解集成電路的新工藝和新技術(shù)。微電子技術(shù)的發(fā)展是遵循摩爾定律，快速發(fā)展變化的，雖然工程教育要求教學最新最前沿的技術(shù)，但微電子設備價格昂貴，運轉(zhuǎn)與維護費用很高，任何高校都很難不斷升級換代；而且集成電路制造技術(shù)的更新迭代主要是在摻雜技術(shù)、光刻技術(shù)、電極制造技術(shù)方面進行了技術(shù)改進，在其他方面還都是相似的，因此，在高校中單純追求工藝先進的實驗教學是不現(xiàn)實的?；诖?，結(jié)合實際教學資源情況，建設主流、典型工藝技術(shù)的工藝實驗線，并開展理論聯(lián)系實踐的實驗教學是微電子工藝實驗室建設的重點。通過實驗使學生更牢固地掌握晶體管及簡單Ic的整個工藝制造技術(shù)，學會測試晶體管重要參數(shù)，以及初步了解集成電路工藝制造過程。

黑龍江大學微電子工藝實驗室已建立數(shù)十年，之前受到設備的限制，所開設的實驗都是分立的，不能完全按工藝流程完成器件的制作，沒有形成有機整體，學生缺乏對晶體管制作工藝流程的整體認識。經(jīng)過不斷發(fā)展和學校的大量投入，目前該實驗室擁有一條微電子平面工藝線，主要的設備包括磁控濺射設備、電子束蒸發(fā)設備、CVD化學氣相淀積系統(tǒng)、光刻機、離子刻蝕機、擴散爐、氧化爐、超聲壓焊機、燒結(jié)爐等。這些設備保證了微電子工藝實驗能夠按晶體管制作工藝流程順序完成制作。同時實驗室配備了測試環(huán)節(jié)所必須的顯微鏡、電阻率測試儀、探針測試臺、半導體特性圖示儀等檢測儀器，通過實驗能進一步加深學生對微電子工藝制造過程的了解。實踐證明，以上實驗內(nèi)容對學生掌握知識和開拓視野起到十分重要的作用，效果顯著。該實驗室多年來一直開展本科生教學和本科生畢業(yè)設計、研究生畢業(yè)設計、各類創(chuàng)新實驗項目等教學、科研工作。

三、實驗教學的開展

為了達到理論實踐相互支撐與關聯(lián)，通過實驗促進理論學習，筆者根據(jù)微電子專業(yè)特點，開展了微電子工藝實驗的教學改革。在原有的微電子平面工藝實驗的基礎上，建立由實驗內(nèi)容的設置、多媒體工藝視頻、實際操作的工藝實驗、實驗考核方法和參觀學習五部分組成的教學方式，形成有效的實踐教學，加強了學生對制造技術(shù)和工藝流程的整體的認識，培養(yǎng)了學生對半導體器件原理研究的興趣，使學生對將來從事半導體工藝方面的研究充滿信心。

（一）實驗內(nèi)容的設置

實驗內(nèi)容主要包括四部分：

1.教師提供給學生難易不同的器件結(jié)構(gòu)（二極管、三極管、MOS管等），學生可以自主選擇；

2.根據(jù)器件結(jié)構(gòu)，計算機輔助軟件設計器件制作的工藝流程；

3.通過實驗室提供的儀器設備完成器件制作；

4.測試器件性能參數(shù)。

通過這樣設置，既能掌握微電子工藝的基本理論，又能通過實驗分析完善工藝參數(shù)，使學生完全參與其中。

（二）多媒體工藝視頻

為了讓學生對集成電路設計和微電子制造工藝有直觀的認識。結(jié)合實際的實驗教學過程，制作全程相關單項工藝技術(shù)、流程及設備操作視頻演示資料，同時強調(diào)工藝制作過程中安全操作和注意事項，防止危險的發(fā)生。

（三）實際操作的工藝實驗

工藝實驗涵蓋清洗、氧化、擴散、光刻、制版、蒸鍍、燒結(jié)、壓焊等主要工序，為學生親自動手制作半導體器件和制造集成電路提供了一個完整的實驗條件。學生根據(jù)所學的理論知識了解器件結(jié)構(gòu)、確定工藝條件、按照流程完成器件的制作。保證每名學生都參與到器件制作過程中。同時每個單項工序時間和內(nèi)容采取預約制，實現(xiàn)開放式實驗教學。

、

（四）實驗考核方法

在實驗教學環(huán)節(jié)中，實驗考核是重要的教學質(zhì)量評價手段。實驗著重對動手能力和綜合分析問題的能力及創(chuàng)新能力進行考核。主要考核內(nèi)容包括：

1.器件工藝設計：考核設計器件制作流程的合理性；

2.工藝實驗：考核現(xiàn)場工藝操作是否規(guī)范，選用的工藝條件是否合理；

3.測試結(jié)果：考核制作器件的測試結(jié)果；

4.實驗分析報告：考核分析問題和解決問題能力，并最終給出綜合成績。

（五）參觀學習

參觀學習有助于學生全面了解本行業(yè)國內(nèi)外發(fā)展的概況及先進的設備、現(xiàn)代化的生產(chǎn)車間和工藝水平。每年帶領學生參觀中國電子科技集團公司第49研究所、海格集團等企事業(yè)單位，安排相應技術(shù)人員進行講座和交流，使學生學習到更多的寶貴經(jīng)驗和實踐知識。

篇10

1、根據(jù)世界半導體貿(mào)易協(xié)會的說法，全球半導體細分為四個領域：集成電路、光電子、分立器件、傳感器。其中光電在占整個半導體產(chǎn)業(yè)的比例在7%~10%之間，華為在英國建立的光芯片工廠主要生產(chǎn)光電子通信芯片。我們關注度比較高的CPU、GPU、手機處理器等都是屬于集成電路。

2、光芯片用于完成光電信號的轉(zhuǎn)換，是核心器件，分為有源光芯片和無源光芯片。光芯片包括了激光器、調(diào)制器、耦合器、波分復用器、探測器等。在運營商的核心交換網(wǎng)設備、波分復用設備、以及即將普及的5G設備中有大量的光芯片。

（來源：文章屋網(wǎng) ）